Samsung Merancang untuk Menghantar Sampel Cip HBM4E kepada NVIDIA pada bulan Mei

Samsung Electronics merancang untuk menghasilkan sampel pertama Memori Lebar Jalur Tinggi generasi akan datang (HBM4E) seawal Mei dan menghantar cip tersebut kepada NVIDIA berikutan pengesahan dalaman.

Syarikat itu sedang mempercepatkan pembangunan produk HBM generasi ketujuhnya untuk mengekalkan momentum kukuhnya dalam pasaran memori kecerdasan buatan (AI) yang berkembang pesat.Samsung merancang untuk terlebih dahulu menghasilkan sampel awal yang memenuhi tahap prestasi yang dijangkakan sebelum menyampaikannya kepada pelanggan.

Bahagian faundri Samsung dijangka menghasilkan sampel cip logik untuk HBM4E pada pertengahan Mei.Komponen ini kemudiannya akan dipindahkan ke bahagian memori untuk pembungkusan dengan DRAM.Sampel siap akan menjalani penilaian prestasi dalaman sebelum dihantar ke NVIDIA.

Samsung sebelum ini mempamerkan cip fizikal HBM4E pada persidangan GTC 2026 pada bulan Mac.Walau bagaimanapun, orang dalam industri biasanya melihat cip itu sebagai lebih daripada sampel demonstrasi daripada produk yang memenuhi keperluan prestasi komersial.Cip dijangka mencapai kadar pemindahan data sehingga 16 Gbps setiap pin dan lebar jalur sehingga 4.0 TB/s, mewakili peningkatan berbanding HBM4.

Samsung sedang berusaha untuk menyatukan kelebihan penggerak pertamanya dalam pengeluaran besar-besaran HBM4 dan mengguna pakai teknologi proses yang lebih maju daripada pesaingnya.Menurut sumber industri, Samsung dijangka mengeluarkan cip logik menggunakan proses 4nm dan cip DRAM menggunakan proses 10nm (kelas 1c).

Pesaing SK Hynix juga sedang mempercepatkan R&D HBM4E dan merancang untuk mengguna pakai DRAM dan proses cip logik yang lebih maju.

Rancangan pengeluaran untuk platform AI Vera Rubin NVIDIA (yang akan menggunakan HBM4 dan HBM4E) telah melalui beberapa pelarasan, tetapi Samsung meningkatkan usaha untuk mengelak daripada mengulangi kesilapan yang dibuat dalam pasaran HBM3E.