Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Log keluar
Melayu
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Rumah > Berita > SK Hynix mengumumkan bahawa NAND 4D lapisan 128 pertama di dunia akan dijual pada separuh kedua tahun ini.

SK Hynix mengumumkan bahawa NAND 4D lapisan 128 pertama di dunia akan dijual pada separuh kedua tahun ini.

SK hynix mengumumkan pada ke-26 bahawa ia akan menghasilkan memori flash 128-lapisan pertama 1Tb (Terabit) di dunia, dan merancang untuk memulakan jualan pada separuh kedua tahun ini.

Ini adalah pelepasan SK Hynix 96-lapisan 4DNAND pada Oktober tahun lepas, dan ia akan melepaskan produk baru sekali lagi selepas 8 bulan. Menurut media Korea, "Korean Daily", SK hynix telah menghasilkan satu produk baru untuk reka bentuk TLC (3bit per Cell unit), menggunakan etsa menegak, pembentukan zarah filem multilayer, reka bentuk gelung kuasa rendah dan teknologi lain untuk mencipta timbunan sebanyak 3600. Lebih daripada 100 juta granul NAND dan produk 128-layer 1Tb tidak hanya mencapai kiraan timbunan tertinggi dalam industri, tetapi juga mengatasi NAND 90-lapisan Samsung Electronics.

Walaupun terdapat 96 lapisan spesifikasi QLC1Tb, prestasi dan kelajuan pemprosesan TLC adalah lebih baik daripada QLC. Dalam pasaran NAND, bahagian pasaran produk TLC adalah 85%. Oleh itu, SK hynix telah membangunkan NAND berkapasiti tinggi untuk kali pertama dengan teknologi TLC, yang telah menarik banyak perhatian dari dunia luar.

Khususnya, walaupun produk itu menambah 32 lapisan kepada produk asli NAND 96 lapisan, prosedur proses dikurangkan sebanyak 5%, dan NAND 4D lapisan 128 mempunyai 440 lebih tinggi produktiviti setiap wafer daripada 96-layer 4D NAND , walaupun teknologi PUC tidak digunakan (litar Periferal), produktiviti tahap bit 128-lapisan 4DNAND masih boleh ditingkatkan lebih daripada 15%. Menurut SK hynix, kaedah ini dapat menjimatkan kos untuk menukar proses baru, yang dapat dikurangkan sebanyak 60% berbanding dengan kos pelaburan penukaran generasi sebelumnya. & quot; Harian Korea & quot; menunjukkan bahawa ini adalah penggunaan SK Hynix dari platform proses 4DNAND yang dibangunkan pada Oktober tahun lepas, dan mengoptimumkan hasil prosesnya.

SK hynix merancang untuk menjual memori flash 4D NAND 128-lapisan pada separuh kedua tahun ini. Menurut SK hynix, produk ini dapat mencapai kelajuan transmisi data 1400Mbps walaupun dalam persekitaran voltan rendah (1.2V), sesuai untuk prestasi tinggi, penyelesaian mudah alih penggunaan kuasa rendah, dan perusahaan SSD (Solid State Drive).