Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Log keluar
Melayu
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Rumah > Berita > Kilang Kioxia Fab7 mula dibina! Fasa pertama pembinaan akan disiapkan pada musim bunga depan

Kilang Kioxia Fab7 mula dibina! Fasa pertama pembinaan akan disiapkan pada musim bunga depan

Pada 25 Februari, Kioxia mengumumkan bahawa ia telah mengadakan upacara pecah tanah di kilangnya di Yokkaichi, Prefektur Mie, Jepun, dan secara rasmi membuka tanah di kilang semikonduktornya yang paling maju (Fab7).

Siaran akhbar menyatakan bahawa kilang itu akan menjadi salah satu kilang pembuatan termaju di dunia, yang dikhaskan untuk pengeluaran memori kilat 3D miliknya BiCS FlashTM. Pembinaan kilang baru akan dibahagikan kepada dua fasa, fasa pertama dijadualkan selesai pada musim bunga 2022.


Loji Fab7 baru adalah usaha sama antara Kioxia dan Western Digital. Ia akan menggunakan struktur penyerap kejutan dan reka bentuk yang mesra alam, termasuk peralatan pembuatan penjimatan tenaga terkini. Kilang ini akan meningkatkan keupayaan pengeluaran keseluruhan Kioxia dengan memperkenalkan sistem pembuatan canggih AI.


Kilang Kioxia Fab7

Sebelum ini (20 Februari), Kioxia dan Western Digital telah mengumumkan bahawa kedua-dua pihak telah bekerjasama dalam pengembangan teknologi memori flash 162 lapisan 162 generasi keenam. Siaran akhbar menunjukkan bahawa ini adalah ketumpatan tertinggi dan teknologi memori flash 3D paling maju dari kedua-dua syarikat sehingga kini. Berbanding dengan teknologi generasi kelima, kepadatan susunan sel mendatar telah meningkat sebanyak 10%. Berbanding dengan teknologi susun lapisan 112, kemajuan penskalaan mendatar ini digabungkan dengan memori menegak lapisan 162 lapisan mengurangkan saiz cip sebanyak 40% dan mengoptimumkan kos.

Kioxia mengatakan bahawa ia telah berjaya menjalin hubungan kerjasama dengan Western Digital selama bertahun-tahun dan berharap dapat terus melabur di kilang Fab7, termasuk penciptaan memori flash 3D generasi keenam.