Paten baru Apple untuk sistem penyimpanan hibrid terdedah!

digitimes memetik laporan dari Tom's Hardware dan menunjukkan bahawa dengan pengembangan DRAM yang berterusan, reka bentuk DRAM menjadi semakin kompleks kerana tujuan aplikasi yang berbeza. Reka bentuk yang menumpukan pada peningkatan kepadatan / kapasiti penyimpanan cenderung mengurangkan (atau sekurang-kurangnya tidak meningkatkan) lebar jalur, sementara reka bentuk yang meningkatkan lebar jalur cenderung mengurangkan (atau sekurang-kurangnya tidak meningkatkan) kapasiti dan kecekapan tenaga. Bagi pereka SoC, bagaimana mencapai keseimbangan terbaik antara lebar jalur penyimpanan, kapasiti, penggunaan tenaga dan kos sebagai tindak balas kepada keperluan aplikasi cip telah menjadi cabaran utama.

Sistem penyimpanan hibrid Apple berdasarkan teknologi baru yang dipatenkan boleh merangkumi sekurang-kurangnya dua jenis storan DRAM yang berbeza (contohnya, satu adalah DRAM berkepadatan tinggi, yang lain adalah DRAM berketumpatan rendah, atau latensi rendah dan lebar jalur tinggi). Ini membantu mencapai operasi yang cekap tenaga dan meningkatkan kapasiti penyimpanan untuk peranti mudah alih dan peranti lain yang menganggap penggunaan kuasa dan nisbah kecekapan-ke-kuasa sebagai kunci.

Dilaporkan bahawa paten menerangkan penggunaan pelbagai teknologi interkoneksi seperti melalui-silikon melalui (TSV) untuk mewujudkan beberapa sistem penyimpanan hibrid yang menggabungkan DRAM cache berkelajuan tinggi dan DRAM utama. Di samping itu, permohonan paten merangkumi SoC, bukan pemproses PC.

Apple telah mengajukan permohonan paten tersebut di Pejabat Paten Eropah (EPO), serta agensi pengawalseliaan paten di Amerika Syarikat, China, dan Jepun.