2019 Q2 Hynix akan menghasilkan memori proses 10nm generasi kedua

  SK hynix baru-baru ini mendedahkan bahawa syarikat itu akan meningkatkan pengeluaran pembuatan 10 nanometer generasi pertama (iaitu 1X nm) DRAM, dan akan mula menjual teknologi pembuatan 10 nanometer generasi kedua (juga dikenali sebagai 1Y nm) pada separuh kedua tahun. Memori. Mempercepatkan peralihan ke teknologi 10nm akan membolehkan syarikat meningkatkan output DRAM, akhirnya mengurangkan kos dan bersiap sedia untuk ingatan generasi akan datang.

Produk pertama yang dihasilkan menggunakan teknologi pengeluaran SK Hynix 1Y nm akan menjadi cip memori 8Gb DDR4-3200. Pengilang mengatakan ia boleh mengurangkan saiz cip peranti 8Gb DDR4 sebanyak 20% dan mengurangkan penggunaan kuasa sebanyak 15% berbanding peranti serupa yang direka menggunakan teknologi pembuatan 1X nm. Di samping itu, cip 8Gb DDR4-3200 yang akan datang di SK hynix mempunyai dua penambahbaikan penting: skema pemasaan 4 fasa dan teknologi kawalan penguat Sense.

Walaupun teknologi ini penting walaupun untuk DDR4 tahun ini, dikatakan bahawa SK hynix akan menggunakan proses pengilangan nmnya untuk menghasilkan DDR5, LPDDR5 dan GDDR6 DRAM. Oleh itu, Hynix mesti menaik taraf teknologi pembuatan 10 nanometer generasi kedua secepat mungkin untuk menyediakan masa depan.